IRHMJ57160. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRHMJ57160

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 1583 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.018 Ohm

Тип корпуса: TO254AA

Аналог (замена) для IRHMJ57160

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRHMJ57160 даташит

 ..1. Size:160K  international rectifier
 irhmj57160.pdf pdf_icon

IRHMJ57160

PD-96916 RADIATION HARDENED IRHMJ57160 POWER MOSFET 100V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A* TO-254AA Tabless International Recti

 7.1. Size:168K  international rectifier
 irhmj57260se.pdf pdf_icon

IRHMJ57160

PD-96913 RADIATION HARDENED IRHMJ57260SE POWER MOSFET 200V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY 5 5 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A* TO-254AA Tabless International Rectifier s R5TM technology provides Features high performance power MOSFETs for space n Single Event Effect (SEE) Hardene

 9.1. Size:330K  international rectifier
 irhmj7250.pdf pdf_icon

IRHMJ57160

Другие IGBT... IRHM9150, IRHM9160, IRHM9230, IRHM9250, IRHM9260, IRHMB57064, IRHMB57260SE, IRHMB57Z60, IRF520, IRHMJ57260SE, IRHMJ7250, IRHMK57160, IRHMK57260SE, IRHMK597160, IRHMS57064, IRHMS57160, IRHMS57163SE