IRHMJ57260SE MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRHMJ57260SE
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 125 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 885 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.049 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRHMJ57260SE

IRHMJ57260SE Datasheet (PDF)

..1. Size:168K international rectifier
irhmj57260se.pdf

PD-96913RADIATION HARDENED IRHMJ57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A*TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardene

7.1. Size:160K international rectifier
irhmj57160.pdf

PD-96916RADIATION HARDENED IRHMJ57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A*TO-254AA TablessInternational Recti

9.1. Size:330K international rectifier
irhmj7250.pdf

PD-96914 IRHMJ7250RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNELPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ7250 100K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ3250 300K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ4250 600K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ8250 1000K Rads (Si) 0.10 26ATO-254AA TablessInternational Rectifier

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History: AP6N3R7MT

Liste

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