IRHMJ57260SE MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IRHMJ57260SE
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 208 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 200 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 35 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 45 nC
Время нарастания (tr): 125 ns
Выходная емкость (Cd): 885 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.049 Ohm
Тип корпуса: TO254AA
Аналог (замена) для IRHMJ57260SE
IRHMJ57260SE Datasheet (PDF)
irhmj57260se.pdf
PD-96913RADIATION HARDENED IRHMJ57260SEPOWER MOSFET200V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless) TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57260SE 100K Rads (Si) 0.049 35A*TO-254AA TablessInternational Rectifiers R5TM technology providesFeatures:high performance power MOSFETs for spacen Single Event Effect (SEE) Hardene
irhmj57160.pdf
PD-96916RADIATION HARDENED IRHMJ57160POWER MOSFET 100V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)TECHNOLOGY55 Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ57160 100K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ53160 300K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ54160 600K Rads (Si) 0.018 35A* IRHMJ58160 1000K Rads (Si) 0.019 35A*TO-254AA TablessInternational Recti
irhmj7250.pdf
PD-96914 IRHMJ7250RADIATION HARDENED 200V, N-CHANNELPOWER MOSFET RAD Hard HEXFET TECHNOLOGYSURFACE MOUNT (TO-254AA Tabless)Product Summary Part Number Radiation Level RDS(on) ID IRHMJ7250 100K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ3250 300K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ4250 600K Rads (Si) 0.10 26A IRHMJ8250 1000K Rads (Si) 0.10 26ATO-254AA TablessInternational Rectifier
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
