IRFM450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IRFM450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 190 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 600 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.415 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO254AA

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IRFM450

IRFM450 Datasheet (PDF)

..1. Size:179K international rectifier
irfm450.pdf

PD - 90493FIRFM450JANTX2N7228JANTXV2N7228POWER MOSFETREF: MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA)500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

..2. Size:15K semelab
irfm450.pdf

IRFM450MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET13.59 (0.535) 6.32 (0.249)13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 500VID(cont) 12ARDS(on) 0.415FEATURES1 2 3 HERMETICALLY SEALED ISOLATEDPACKAGE AVALANCHE ENERGY RATING0.89 (0.035) SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS1.14 (0.045)3.81

9.1. Size:172K international rectifier
irfm440.pdf

PD - 90492DIRFM440JANTX2N7222JANTXV2N7222POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596THRU-HOLE (TO-254AA) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM440 0.85 8.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

9.2. Size:204K international rectifier
irfm460.pdf

PD - 90727BIRFM460POWER MOSFET 500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM460 0.27 19AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

9.3. Size:226K international rectifier
2n7222 2n7222 irfm440.pdf

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Liste

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