Справочник MOSFET. IRFM450

 

IRFM450 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFM450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 19 nC
   trⓘ - Время нарастания: 190 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 600 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.415 Ohm
   Тип корпуса: TO254AA

 Аналог (замена) для IRFM450

 

 

IRFM450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:179K  international rectifier
 irfm450.pdf

IRFM450 IRFM450

PD - 90493FIRFM450JANTX2N7228JANTXV2N7228POWER MOSFETREF: MIL-PRF-19500/592THRU-HOLE (TO-254AA)500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM450 0.415 12AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

 ..2. Size:15K  semelab
 irfm450.pdf

IRFM450 IRFM450

IRFM450MECHANICAL DATADimensions in mm (inches)NCHANNELPOWER MOSFET13.59 (0.535) 6.32 (0.249)13.84 (0.545) 6.60 (0.260)3.53 (0.139) 1.02 (0.040)Dia.3.78 (0.149) 1.27 (0.050)VDSS 500VID(cont) 12ARDS(on) 0.415FEATURES1 2 3 HERMETICALLY SEALED ISOLATEDPACKAGE AVALANCHE ENERGY RATING0.89 (0.035) SIMPLE DRIVE REQUIREMENTS1.14 (0.045)3.81

 9.1. Size:172K  international rectifier
 irfm440.pdf

IRFM450 IRFM450

PD - 90492DIRFM440JANTX2N7222JANTXV2N7222POWER MOSFETREF:MIL-PRF-19500/596THRU-HOLE (TO-254AA) 500V, N-CHANNELProduct SummaryHEXFET MOSFET TECHNOLOGYPart Number RDS(on) IDIRFM440 0.85 8.0AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-s

 9.2. Size:204K  international rectifier
 irfm460.pdf

IRFM450 IRFM450

PD - 90727BIRFM460POWER MOSFET 500V, N-CHANNELHEXFET MOSFET TECHNOLOGYTHRU-HOLE (TO-254AA)Product SummaryPart Number RDS(on) IDIRFM460 0.27 19AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-sistance combined with high transconductance. HEXFET

 9.3. Size:226K  international rectifier
 2n7222 2n7222 irfm440.pdf

IRFM450 IRFM450

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

 

 
Back to Top