IRFNG50 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFNG50

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 44 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 240 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2 Ohm

Encapsulados: SMD1

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IRFNG50 datasheet

 ..1. Size:481K  international rectifier
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IRFNG50

PD - 91556A IRFNG50 POWER MOSFET 1000V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFNG50 2.0 5.5A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- SMD-1 sistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:494K  international rectifier
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IRFNG50

PD - 91555A IRFNG40 POWER MOSFET 1000V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFNG40 3.5 3.9A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- SMD-1 sistance combined with high transconductance.

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