IRFNG50 - аналоги и даташиты транзистора

 

IRFNG50 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IRFNG50
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm
   Тип корпуса: SMD1
 

 Аналог (замена) для IRFNG50

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFNG50 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:481K  international rectifier
 irfng50.pdf pdf_icon

IRFNG50

PD - 91556AIRFNG50POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG50 2.0 5.5AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:494K  international rectifier
 irfng40.pdf pdf_icon

IRFNG50

PD - 91555AIRFNG40POWER MOSFET1000V, N-CHANNELSURFACE MOUNT (SMD-1)HEXFET MOSFET TECHNOLOGYProduct SummaryPart Number RDS(on) IDIRFNG40 3.5 3.9AHEXFET MOSFET technology is the key to InternationalRectifiers advanced line of power MOSFET transistors. Theefficient geometry design achieves very low on-state re-SMD-1sistance combined with high transconductance.

Другие MOSFET... IRFN250SMD , IRFN254 , IRFN340SMD , IRFN3710 , IRFN5210 , IRFN9130SMD05 , IRFN9530 , IRFNG40 , 5N60 , IRFNJ130 , IRFNJ5305 , IRFNJ540 , IRFNJ9130 , IRFNJZ48 , IRFNL210BTAFP001 , IRFIZ14G , IRFIZ14GPBF .

History: RJK0351DPA | 2SK2607 | 4N70KG-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.