IRFNG50. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFNG50

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 44 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 240 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2 Ohm

Тип корпуса: SMD1

Аналог (замена) для IRFNG50

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFNG50 даташит

 ..1. Size:481K  international rectifier
 irfng50.pdf pdf_icon

IRFNG50

PD - 91556A IRFNG50 POWER MOSFET 1000V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFNG50 2.0 5.5A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- SMD-1 sistance combined with high transconductance.

 9.1. Size:494K  international rectifier
 irfng40.pdf pdf_icon

IRFNG50

PD - 91555A IRFNG40 POWER MOSFET 1000V, N-CHANNEL SURFACE MOUNT (SMD-1) HEXFET MOSFET TECHNOLOGY Product Summary Part Number RDS(on) ID IRFNG40 3.5 3.9A HEXFET MOSFET technology is the key to International Rectifier s advanced line of power MOSFET transistors. The efficient geometry design achieves very low on-state re- SMD-1 sistance combined with high transconductance.

Другие IGBT... IRFN250SMD, IRFN254, IRFN340SMD, IRFN3710, IRFN5210, IRFN9130SMD05, IRFN9530, IRFNG40, IRLB4132, IRFNJ130, IRFNJ5305, IRFNJ540, IRFNJ9130, IRFNJZ48, IRFNL210BTAFP001, IRFIZ14G, IRFIZ14GPBF