IRFR010PBF Todos los transistores

 

IRFR010PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFR010PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 25 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 10 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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IRFR010PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1696K  vishay
 irfr010pbf sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

IRFR010, SiHFR010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 4.8Configuration Single DESCRIPTIONThe Power MOSFET technology i

 7.1. Size:169K  1
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IRFR010PBF

 7.2. Size:279K  international rectifier
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IRFR010PBF

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IRFR010PBF

IRFR010, SiHFR010www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of ParallelingQgs (nC) 2.6 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.8 Material categorization: For definitions of complianceplease see www.vishay.com/doc?

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History: BS250CSM4 | BLF278 | PHB45N03LTA

 

 
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