Справочник MOSFET. IRFR010PBF

 

IRFR010PBF Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IRFR010PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для IRFR010PBF

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR010PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1696K  vishay
 irfr010pbf sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

IRFR010, SiHFR010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 4.8Configuration Single DESCRIPTIONThe Power MOSFET technology i

 7.1. Size:169K  1
 irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

 7.2. Size:279K  international rectifier
 irfr010 irfr012 irfu010 irfu012.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

 7.3. Size:309K  vishay
 irfr010 sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

IRFR010, SiHFR010www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of ParallelingQgs (nC) 2.6 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.8 Material categorization: For definitions of complianceplease see www.vishay.com/doc?

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IRFB7545 , IRFB7546 , IRFB7730 , IRFB7734 , IRFB7740 , IRFB7746 , IRFB7787 , IRFB812PBF , IRF520 , IRFR014PBF , IRFR020PBF , IRFR024NPBF , IRFR024PBF , IRFR1010ZPBF , IRFR1018EPBF , IRFR110PBF , IRFR1205PBF .

History: H7N1002LM

 

 
Back to Top

 


 
.