IRFR010PBF datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: IRFR010PBF  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 50 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для IRFR010PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFR010PBF даташит

 ..1. Size:1696K  vishay
 irfr010pbf sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

IRFR010, SiHFR010 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Drive Current VDS (V) 50 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature Stability Qgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qgd (nC) 4.8 Configuration Single DESCRIPTION The Power MOSFET technology i

 7.1. Size:169K  1
 irfr010 irfr012 irfr014 irfr015.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

 7.2. Size:279K  international rectifier
 irfr010 irfr012 irfu010 irfu012.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

 7.3. Size:309K  vishay
 irfr010 sihfr010.pdf pdf_icon

IRFR010PBF

IRFR010, SiHFR010 www.vishay.com Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Low Drive Current VDS (V) 50 Surface Mount RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.20 Fast Switching Qg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Qgs (nC) 2.6 Excellent Temperature Stability Qgd (nC) 4.8 Material categorization For definitions of compliance please see www.vishay.com/doc?

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFB7545, IRFB7546, IRFB7730, IRFB7734, IRFB7740, IRFB7746, IRFB7787, IRFB812PBF, IRF730, IRFR014PBF, IRFR020PBF, IRFR024NPBF, IRFR024PBF, IRFR1010ZPBF, IRFR1018EPBF, IRFR110PBF, IRFR1205PBF