IRFR010PBF - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: IRFR010PBF
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 25 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 50 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.2 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 150 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для IRFR010PBF
IRFR010PBF Datasheet (PDF)
irfr010pbf sihfr010.pdf

IRFR010, SiHFR010Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of Paralleling Excellent Temperature StabilityQgs (nC) 2.6 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECQgd (nC) 4.8Configuration Single DESCRIPTIONThe Power MOSFET technology i
irfr010 sihfr010.pdf

IRFR010, SiHFR010www.vishay.comVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Low Drive CurrentVDS (V) 50 Surface MountRDS(on) ()VGS = 10 V 0.20 Fast SwitchingQg (Max.) (nC) 10 Ease of ParallelingQgs (nC) 2.6 Excellent Temperature StabilityQgd (nC) 4.8 Material categorization: For definitions of complianceplease see www.vishay.com/doc?
Другие MOSFET... IRFB7545 , IRFB7546 , IRFB7730 , IRFB7734 , IRFB7740 , IRFB7746 , IRFB7787 , IRFB812PBF , K2611 , IRFR014PBF , IRFR020PBF , IRFR024NPBF , IRFR024PBF , IRFR1010ZPBF , IRFR1018EPBF , IRFR110PBF , IRFR1205PBF .
History: IXFK52N60Q2 | MTN5N60J3 | IRFB812PBF
History: IXFK52N60Q2 | MTN5N60J3 | IRFB812PBF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP3409MI | AP3407MI | AP3407AI | AP3404BI | AP3401MI | AP3401AI | AP3400MI-L | AP3400DI | AP3400CI | AP3400BI | AP3400AI | AP320N04TLG5 | AP30P10P | AP30P06D | AP30P03DF | AP13P20D
Popular searches
ksa1381 | bc546 | 2sc458 | a733 transistor | mpsa92 | tip142 | d882 | irf740 datasheet