IRFP244PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP244PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 250 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm

Encapsulados: TO247AC

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IRFP244PBF datasheet

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IRFP244PBF

PD - 95313 IRFP244PbF Lead-Free 6/1/04 Document Number 91211 www.vishay.com 1 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 2 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 3 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 4 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 5 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 6 IRFP244PbF TO-247AC Package Out

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IRFP244PBF

IRFP244, SiHFP244 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 63 Fast Switching Qgs (nC) 12 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration

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