IRFP244PBF Todos los transistores

 

IRFP244PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP244PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.28 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
 

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IRFP244PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  international rectifier
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IRFP244PBF

PD - 95313IRFP244PbF Lead-Free6/1/04Document Number: 91211 www.vishay.com1IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com2IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com3IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com4IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com5IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com6IRFP244PbFTO-247AC Package Out

 7.1. Size:167K  international rectifier
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IRFP244PBF

 7.2. Size:206K  samsung
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IRFP244PBF

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IRFP244PBF

IRFP244, SiHFP244Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 63 Fast SwitchingQgs (nC) 12 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration

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History: 10N65KL-TA3-T | MSAFX50N20A | NCE30H12 | BL7N80-P | 2N60L-TN3-R | IXFY36N20X3

 

 
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