Справочник MOSFET. IRFP244PBF

 

IRFP244PBF MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IRFP244PBF
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 250 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 49 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm
   Тип корпуса: TO247AC

 Аналог (замена) для IRFP244PBF

 

 

IRFP244PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:240K  international rectifier
irfp244pbf.pdf

IRFP244PBF
IRFP244PBF

PD - 95313IRFP244PbF Lead-Free6/1/04Document Number: 91211 www.vishay.com1IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com2IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com3IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com4IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com5IRFP244PbFDocument Number: 91211 www.vishay.com6IRFP244PbFTO-247AC Package Out

 7.1. Size:167K  international rectifier
irfp244.pdf

IRFP244PBF
IRFP244PBF

 7.2. Size:206K  samsung
irfp244a.pdf

IRFP244PBF
IRFP244PBF

 7.3. Size:902K  vishay
irfp244 sihfp244.pdf

IRFP244PBF
IRFP244PBF

IRFP244, SiHFP244Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 63 Fast SwitchingQgs (nC) 12 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration

 7.4. Size:907K  infineon
irfp244 sihfp244.pdf

IRFP244PBF
IRFP244PBF

IRFP244, SiHFP244Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 250Available Repetitive Avalanche RatedRDS(on) ()VGS = 10 V 0.28RoHS* Isolated Central Mounting HoleCOMPLIANTQg (Max.) (nC) 63 Fast SwitchingQgs (nC) 12 Simple Drive RequirementsQgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECConfiguration

 7.5. Size:72K  harris semi
irfp244-247.pdf

IRFP244PBF
IRFP244PBF

IRFP244, IRFP245,SemiconductorIRFP246, IRFP24715A and 14A, 275V and 250V, 0.28 and 0.34 Ohm,July 1998 N-Channel Power MOSFETsFeatures Description 15A and 14A, 275V and 250V These are N-Channel enhancement mode silicon gatepower field effect transistors. They are advanced power rDS(ON) = 0.28 and 0.34MOSFETs designed, tested, and guaranteed to withstand aspecified

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top