IRFP244PBF. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IRFP244PBF

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 250 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.28 Ohm

Тип корпуса: TO247AC

Аналог (замена) для IRFP244PBF

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IRFP244PBF даташит

 ..1. Size:240K  international rectifier
 irfp244pbf.pdf pdf_icon

IRFP244PBF

PD - 95313 IRFP244PbF Lead-Free 6/1/04 Document Number 91211 www.vishay.com 1 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 2 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 3 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 4 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 5 IRFP244PbF Document Number 91211 www.vishay.com 6 IRFP244PbF TO-247AC Package Out

 7.1. Size:167K  international rectifier
 irfp244.pdf pdf_icon

IRFP244PBF

 7.2. Size:206K  samsung
 irfp244a.pdf pdf_icon

IRFP244PBF

 7.3. Size:902K  vishay
 irfp244 sihfp244.pdf pdf_icon

IRFP244PBF

IRFP244, SiHFP244 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 250 Available Repetitive Avalanche Rated RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.28 RoHS* Isolated Central Mounting Hole COMPLIANT Qg (Max.) (nC) 63 Fast Switching Qgs (nC) 12 Simple Drive Requirements Qgd (nC) 39 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Configuration

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IRFP22N60C3PBF, IRFP22N60K, IRFP22N60KPBF, IRFP23N50L, IRFP23N50LPBF, IRFP240PBF, IRFP240R, IRFP242R, P55NF06, IRFP250MPBF, IRFP250NPBF, IRFP250PBF, IRFP250R, IRFP252R, IRFP254N, IRFP254NPBF, IRFP254PBF