IRFP31N50L Todos los transistores

 

IRFP31N50L MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP31N50L
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 460 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 115 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 553 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.18 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
 

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IRFP31N50L Datasheet (PDF)

 ..1. Size:95K  international rectifier
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IRFP31N50L

PD - 94081SMPS MOSFETIRFP31N50LApplications HEXFET Power MOSFET Switch Mode Power Supply (SMPS) UninterruptIble Power SupplyVDSS RDS(on) typ. ID High Speed Power Switching500V 0.15 31A ZVS and High Frequency Circuit PWM InvertersBenefits Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Requirement Improved Gate, Avalanche and Dynamicdv/dt Ruggedness Fully Characterize

 ..2. Size:208K  international rectifier
irfp31n50lpbf.pdf pdf_icon

IRFP31N50L

PD - 95051SMPS MOSFETIRFP31N50LPbFAppIicationsHEXFET Power MOSFET Trr typ.VDSS RDS(on) typ. ID 500V 0.15 170ns 31A Features and Benefits

 ..3. Size:188K  vishay
irfp31n50l sihfp31n50l.pdf pdf_icon

IRFP31N50L

IRFP31N50L, SiHFP31N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Super Fast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS Applications AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.15RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler DriveQg (Max.) (nC) 210COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 58 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

 ..4. Size:192K  vishay
irfp31n50l irfp31n50lpbf sihfp31n50l.pdf pdf_icon

IRFP31N50L

IRFP31N50L, SiHFP31N50LVishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Super Fast Body Diode Eliminates the Need forVDS (V) 500External Diodes in ZVS Applications AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.15RoHS* Lower Gate Charge Results in Simpler DriveQg (Max.) (nC) 210COMPLIANTRequirementsQgs (nC) 58 Enhanced dV/dt Capabilities Offer Improved Ruggedness

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