IRFP340PBF MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IRFP340PBF

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm

Encapsulados: TO247AC

 Búsqueda de reemplazo de IRFP340PBF MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IRFP340PBF datasheet

 ..1. Size:1801K  international rectifier
irfp340pbf.pdf pdf_icon

IRFP340PBF

PD- 95712 IRFP340PbF Lead-Free 8/2/04 Document Number 91222 www.vishay.com 1 IRFP340PbF Document Number 91222 www.vishay.com 2 IRFP340PbF Document Number 91222 www.vishay.com 3 IRFP340PbF Document Number 91222 www.vishay.com 4 IRFP340PbF Document Number 91222 www.vishay.com 5 IRFP340PbF Document Number 91222 www.vishay.com 6 IRFP340PbF Peak Diode Recovery d

 ..2. Size:1554K  vishay
irfp340pbf sihfp340.pdf pdf_icon

IRFP340PBF

IRFP340, SiHFP340 Vishay Siliconix Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt Rating VDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated Available RDS(on) ( )VGS = 10 V 0.55 Isolated Central Mounting Hole RoHS* Qg (Max.) (nC) 62 COMPLIANT Fast Switching Qgs (nC) 10 Ease of Paralleling Qgd (nC) 30 Simple Drive Requirements Configuration Single Compliant

 7.1. Size:172K  international rectifier
irfp340.pdf pdf_icon

IRFP340PBF

 7.2. Size:191K  samsung
irfp340-343 irf740-743.pdf pdf_icon

IRFP340PBF

Otros transistores... IRFP3006, IRFP3077PBF, IRFP31N50L, IRFP31N50LPBF, IRFP3206PBF, IRFP32N50K, IRFP32N50KPBF, IRFP3306PBF, CS150N03A8, IXZR18N50B, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA