IRFP340PBF Todos los transistores

 

IRFP340PBF MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IRFP340PBF
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 62 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 400 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.55 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247AC
     - Selección de transistores por parámetros

 

IRFP340PBF Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1801K  international rectifier
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IRFP340PBF

PD- 95712IRFP340PbF Lead-Free8/2/04Document Number: 91222 www.vishay.com1IRFP340PbFDocument Number: 91222 www.vishay.com2IRFP340PbFDocument Number: 91222 www.vishay.com3IRFP340PbFDocument Number: 91222 www.vishay.com4IRFP340PbFDocument Number: 91222 www.vishay.com5IRFP340PbFDocument Number: 91222 www.vishay.com6IRFP340PbFPeak Diode Recovery d

 ..2. Size:1554K  vishay
irfp340pbf sihfp340.pdf pdf_icon

IRFP340PBF

IRFP340, SiHFP340Vishay SiliconixPower MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Dynamic dV/dt RatingVDS (V) 400 Repetitive Avalanche Rated AvailableRDS(on) ()VGS = 10 V 0.55 Isolated Central Mounting Hole RoHS*Qg (Max.) (nC) 62 COMPLIANT Fast SwitchingQgs (nC) 10 Ease of ParallelingQgd (nC) 30 Simple Drive RequirementsConfiguration Single Compliant

 7.1. Size:172K  international rectifier
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IRFP340PBF

 7.2. Size:191K  samsung
irfp340-343 irf740-743.pdf pdf_icon

IRFP340PBF

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History: HAT2141H | JFPC11N50C | WM03N32M | VBMB16R02 | BSC079N10NSG | VBFB16R04

 

 
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