IXZR08N120A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXZR08N120A

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 86 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS247

 Búsqueda de reemplazo de IXZR08N120A MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXZR08N120A datasheet

 ..1. Size:160K  ixys
 ixzr08n120a ixzr08n120b.pdf pdf_icon

IXZR08N120A

IXZR08N120 & IXZR08N120A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 8.0 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1.5 TJ = 25 C to 150 C VDSS 1200 V PDC = 250 W TJ = 25 C to 150 C;

Otros transistores... IRFP32N50KPBF, IRFP3306PBF, IRFP340PBF, IXZR18N50B, IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, AO4407, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IXZ316N60, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10