Справочник MOSFET. IXZR08N120A

 

IXZR08N120A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: IXZR08N120A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4.9 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 39 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247

 Аналог (замена) для IXZR08N120A

 

 

IXZR08N120A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ixys
 ixzr08n120a ixzr08n120b.pdf

IXZR08N120A IXZR08N120A

IXZR08N120 & IXZR08N120A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 8.0 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1.5 TJ = 25C to 150C VDSS 1200 V PDC = 250 W TJ = 25C to 150C;

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top