IXZR08N120A - аналоги и даташиты транзистора

 

IXZR08N120A - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXZR08N120A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 250 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 86 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: ISOPLUS247
 

 Аналог (замена) для IXZR08N120A

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXZR08N120A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:160K  ixys
 ixzr08n120a ixzr08n120b.pdf pdf_icon

IXZR08N120A

IXZR08N120 & IXZR08N120A/B Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 1200 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 8.0 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 1.5 TJ = 25C to 150C VDSS 1200 V PDC = 250 W TJ = 25C to 150C;

Другие MOSFET... IRFP32N50KPBF , IRFP3306PBF , IRFP340PBF , IXZR18N50B , IXZR18N50A , IXZR16N60B , IXZR16N60A , IXZR08N120B , AO4407 , IXZH10N50LB , IXZH10N50LA , IXZ318N50 , IXZ316N60 , IXZ308N120 , IXZ2210N50L , IXZ210N50L , IXUN350N10 .

History: 2N60G-TND-R | 25N10G-TF3-T | BLP12N10G-U | 25N10G-TF2-T | 2N60G-TM3-T | IPB60R099P7 | MSU4N60S

 

 
Back to Top

 


 
.