IXZ316N60 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXZ316N60

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 880 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.47 Ohm

Encapsulados: SMD-6

 Búsqueda de reemplazo de IXZ316N60 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

IXZ316N60 datasheet

 ..1. Size:136K  ixys
 ixz316n60.pdf pdf_icon

IXZ316N60

IXZ316N60 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 600 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 18 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.47 TJ = 25 C to 150 C VDSS 600 V PDC = 880 W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR

 9.1. Size:137K  ixys
 ixz318n50.pdf pdf_icon

IXZ316N60

IXZ318N50 Z-MOS RF Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Switch Mode RF MOSFET Low Capacitance Z-MOSTM MOSFET Process VDSS = 500 V Optimized for RF Operation Ideal for Class C, D, & E Applications ID25 = 19 A RDS(on) Symbol Test Conditions Maximum Ratings 0.34 TJ = 25 C to 150 C VDSS 500 V PDC = 880 W TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M VDGR

Otros transistores... IXZR18N50A, IXZR16N60B, IXZR16N60A, IXZR08N120B, IXZR08N120A, IXZH10N50LB, IXZH10N50LA, IXZ318N50, IRF1407, IXZ308N120, IXZ2210N50L, IXZ210N50L, IXUN350N10, IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2