IXTX210P10T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTX210P10T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 210 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 98 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 4070 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0075 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXTX210P10T datasheet

 ..1. Size:179K  ixys
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IXTX210P10T

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 100V IXTK210P10T Power MOSFETs ID25 = - 210A IXTX210P10T RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.1. Size:129K  ixys
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IXTX210P10T

High Voltage Power VDSS = 1500V IXTK20N150 MOSFETs w/ Extended ID25 = 20A IXTX20N150 FBSOA RDS(on)

 9.2. Size:260K  inchange semiconductor
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IXTX210P10T

isc N-Channel MOSFET Transistor IXTX200N10L2 FEATURES With TO-247 packaging With low gate drive requirements Easy to drive 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V Drain-Source Voltage 100 V DSS V

Otros transistores... IXUC200N055, IXUC100N055, IXTY90N055T2, IXTY8N65X2, IXTY4N65X2, IXTY2N65X2, IXTY1R4N120P, IXTY1N120P, 2N60, IXTX20N150, IXTX120P20T, IXTX120N65X2, IXTX102N65X2, IXTV230N085TS, IXTT6N150, IXTT4N150HV, IXTT3N200P3HV