IXTX120N65X2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTX120N65X2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9920 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXTX120N65X2 datasheet

 ..1. Size:159K  ixys
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IXTX120N65X2

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTK120N65X2 Power MOSFET ID25 = 120A IXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264P (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS Continuous 30 V PLUS247 (IX

 7.1. Size:178K  ixys
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IXTX120N65X2

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 200V IXTK120P20T Power MOSFETs ID25 = - 120A IXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C - 200 V D S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS

 9.1. Size:177K  ixys
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IXTX120N65X2

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10P ID25 = -170A Power MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXTK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M -100 V G D (TAB) S VGSS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C -1

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IXTX120N65X2

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