IXTX102N65X2 Todos los transistores

 

IXTX102N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTX102N65X2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1040 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 102 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

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IXTX102N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:193K  ixys
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IXTX102N65X2

Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK102N65X2Power MOSFET ID25 = 102AIXTX102N65X2 RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Fast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Contin

 9.1. Size:178K  ixys
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IXTX102N65X2

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

 9.2. Size:177K  ixys
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IXTX102N65X2

PolarPTM VDSS = -100V IXTK170P10PID25 = -170APower MOSFET IXTX170P10P RDS(on) 12m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 V GD (TAB)SVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C -1

 9.3. Size:88K  ixys
 ixtk17n120l ixtx17n120l.pdf pdf_icon

IXTX102N65X2

Advance Technical InformationIXTK17N120L VDSS = 1200 VLinear Power MOSFETIXTX17N120L ID25 = 17 AWith Extended FBSOA RDS(on) 0.99 N-Channel Enhancement ModeTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VGDVGS Continuous 30 VS(TAB)VGSM Transient

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History: MLD685D | HAT2292C | SPP12N50C3 | PSMN9R0-30LL | HGN130N12S | AP4963GEM | UT6401

 

 
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