IXTV230N085TS Todos los transistores

 

IXTV230N085TS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTV230N085TS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 550 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 85 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 230 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 49 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1230 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0044 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS220
 

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IXTV230N085TS Datasheet (PDF)

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IXTV230N085TS

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

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IXTV230N085TS

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

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ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdf pdf_icon

IXTV230N085TS

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran

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IXTV230N085TS

Preliminary Technical InformationIXTV250N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTV250N075TS ID25 = 250 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S

Otros transistores... IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 , IXTX102N65X2 , IRF730 , IXTT6N150 , IXTT4N150HV , IXTT3N200P3HV , IXTT2N300P3HV , IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV .

History: PMPB48EP | 2N7002TC | IPA041N04NG | BRCS070N03DP | CJQ9435 | 2SK1524

 

 
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