IXTV230N085TS Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTV230N085TS
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 550 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 85 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 230 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 49 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 1230 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0044 Ohm
Тип корпуса: PLUS220
Аналог (замена) для IXTV230N085TS
IXTV230N085TS Datasheet (PDF)
ixtv230n085ts.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S
ixtv230n085t.pdf

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTV230N085TTrenchMVTMID25 = 230 AIXTV230N085TSPower MOSFET RDS(on) 4.4 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S
ixtt26n60p ixtv26n60p ixtv26n60ps ixth26n60p ixtq26n60p.pdf

IXTH26N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTQ26N60P ID25 = 26 APower MOSFET IXTT26N60P RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement ModeIXTV26N60PAvalanche RatedTO-247 (IXTH)IXTV26N60PSGDSSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 600 V TO-3P (IXTQ)VDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 600 VVGSS Continuous 30 VVGSM Tran
ixtv250n075t.pdf

Preliminary Technical InformationIXTV250N075T VDSS = 75 VTrenchMVTMIXTV250N075TS ID25 = 250 APower MOSFET RDS(on) 4.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsPLUS220 (IXTV)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 VGDD (TAB)S
Другие MOSFET... IXTY2N65X2 , IXTY1R4N120P , IXTY1N120P , IXTX210P10T , IXTX20N150 , IXTX120P20T , IXTX120N65X2 , IXTX102N65X2 , IRF730 , IXTT6N150 , IXTT4N150HV , IXTT3N200P3HV , IXTT2N300P3HV , IXTT2N170D2 , IXTT1N450HV , IXTT1N300P3HV , IXTT1N250HV .
History: IPB03N03LBG | AP2605GY-HF | NTMFD4C87N | MMBFJ111 | AP4435GJ | IPS050N03LG | AF2301PWL
History: IPB03N03LBG | AP2605GY-HF | NTMFD4C87N | MMBFJ111 | AP4435GJ | IPS050N03LG | AF2301PWL



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSL1010PU | JMSL1010PP | JMSL1010PKS | JMSL1010PK | JMSL1010PGS | JMSL1010PGQ | JMSL1010PGD | JMSL1010PG | JMSL1010PE | JMSL1010PC | JMSL1010AUQ | JMSL1010AU | JMSL1010AP | JMSL1010AKQ | JMSL1010AK | JMSL1010AGQ
Popular searches
mj50ac100 | 2sc1318 replacement | 2n3905 | mj15023 | tip36c transistor | 2sc3320 | 2sc2078 | ac127 transistor