IXTR140P10T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTR140P10T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 270 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2045 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-247 ISOPLUS-247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTR140P10T
IXTR140P10T Datasheet (PDF)
ixtr140p10t.pdf
Preliminary Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTR140P10TPower MOSFET ID25 = - 90A RDS(on) 13m P-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C -100 VGVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -100 VIsolated TabDSVGSS Continuous 15 VVGSM Transient
ixtr120p20t.pdf
Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTR120P20TPower MOSFETs ID25 = - 90A RDS(on) 32m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M - 200 V
ixtr102n65x2.pdf
Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTR102N65X2Power MOSFET ID25 = 54A RDS(on) 33m (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedISOPLUS247E153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VGVG
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