IXTR102N65X2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTR102N65X2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 330 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 54 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6100 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.033 Ohm

Encapsulados: ISOPLUS-247

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IXTR102N65X2 datasheet

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IXTR102N65X2

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTR102N65X2 Power MOSFET ID25 = 54A RDS(on) 33m (Electrically Isolated Tab) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V G VG

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IXTR102N65X2

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 200V IXTR120P20T Power MOSFETs ID25 = - 90A RDS(on) 32m trr 300ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C - 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M - 200 V

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IXTR102N65X2

Preliminary Technical Information TrenchPTM VDSS = -100V IXTR140P10T Power MOSFET ID25 = - 90A RDS(on) 13m P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated ISOPLUS247 E153432 Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V G VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M -100 V Isolated Tab D S VGSS Continuous 15 V VGSM Transient

Otros transistores... IXTT140P10T, IXTT12N150HV, IXTT12N150, IXTT02N450HV, IXTR68P20T, IXTR210P10T, IXTR140P10T, IXTR120P20T, 60N06, IXTQ80N28T, IXTQ32N65X, IXTQ180N055T, IXTQ130N20T, IXTP8N65X2M, IXTP8N65X2, IXTP80N075L2, IXTP7N50A