IXTP80N075L2 MOSFET. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

IXTP80N075L2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTP80N075L2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 357 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 75 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 35 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 935 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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IXTP80N075L2 datasheet

..1. Size:168K ixys
ixta80n075l2 ixth80n075l2 ixtp80n075l2.pdf pdf_icon

Advance Technical Information LinearL2TM Power VDSS = 75V IXTA80N075L2 MOSFETs w/Extended ID25 = 80A IXTP80N075L2 RDS(on) 24m FBSOA IXTH80N075L2 N-Channel Enhancement Mode TO-263AA (IXTA) Guaranteed FBSOA Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220AB (IXTP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 75 V VDGR TJ = 25

7.1. Size:184K ixys
ixta80n10t ixtp80n10t.pdf pdf_icon

TrenchMVTM VDSS = 100V IXTA80N10T Power MOSFET ID25 = 80A IXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 100 V TO-220AB (IXTP) VGSS Continuous 20 V VGSM Transien

7.2. Size:305K cn vbsemi
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IXTP80N12T2 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Channel

7.3. Size:206K inchange semiconductor
ixtp80n12t2.pdf pdf_icon

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N12T2 FEATURES Drain-Source On-Resistance R

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