IXTP80N075L2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTP80N075L2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 357 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 75 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 35 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 935 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для IXTP80N075L2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTP80N075L2 даташит

 ..1. Size:168K  ixys
 ixta80n075l2 ixth80n075l2 ixtp80n075l2.pdf pdf_icon

IXTP80N075L2

Advance Technical Information LinearL2TM Power VDSS = 75V IXTA80N075L2 MOSFETs w/Extended ID25 = 80A IXTP80N075L2 RDS(on) 24m FBSOA IXTH80N075L2 N-Channel Enhancement Mode TO-263AA (IXTA) Guaranteed FBSOA Avalanche Rated G S D (Tab) TO-220AB (IXTP) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 75 V VDGR TJ = 25

 7.1. Size:184K  ixys
 ixta80n10t ixtp80n10t.pdf pdf_icon

IXTP80N075L2

TrenchMVTM VDSS = 100V IXTA80N10T Power MOSFET ID25 = 80A IXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement Mode TO-263 AA (IXTA) Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings D (Tab) VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175 C, RGS = 1M 100 V TO-220AB (IXTP) VGSS Continuous 20 V VGSM Transien

 7.2. Size:305K  cn vbsemi
 ixtp80n12t2.pdf pdf_icon

IXTP80N075L2

IXTP80N12T2 www.VBsemi.com N-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( )ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature 0.0085 at VGS = 10 V 100 100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 85 0.0100 at VGS = 6 V TO-220AB D TO-263 G DRAIN connected to TAB G D S Top View S G D S Top View N-Channel

 7.3. Size:206K  inchange semiconductor
 ixtp80n12t2.pdf pdf_icon

IXTP80N075L2

INCHANGE Semiconductor isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N12T2 FEATURES Drain-Source On-Resistance R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTR120P20T, IXTR102N65X2, IXTQ80N28T, IXTQ32N65X, IXTQ180N055T, IXTQ130N20T, IXTP8N65X2M, IXTP8N65X2, IRF840, IXTP7N50A, IXTP7N50, IXTP7N45A, IXTP7N45, IXTP6N60A, IXTP6N60, IXTP64N10L2, IXTP4N95A