IXTP80N075L2 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTP80N075L2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 357 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 75 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 80 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 103 nC
Время нарастания (tr): 35 ns
Выходная емкость (Cd): 935 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для IXTP80N075L2
IXTP80N075L2 Datasheet (PDF)
ixta80n075l2 ixth80n075l2 ixtp80n075l2.pdf
Advance Technical InformationLinearL2TM Power VDSS = 75VIXTA80N075L2MOSFETs w/Extended ID25 = 80AIXTP80N075L2 RDS(on) 24m FBSOAIXTH80N075L2N-Channel Enhancement ModeTO-263AA (IXTA)Guaranteed FBSOAAvalanche RatedGSD (Tab)TO-220AB (IXTP)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 75 VVDGR TJ = 25
ixta80n10t ixtp80n10t.pdf
TrenchMVTM VDSS = 100VIXTA80N10TPower MOSFET ID25 = 80AIXTP80N10T RDS(on) 14m N-Channel Enhancement ModeTO-263 AA (IXTA)Avalanche RatedFast Intrinsic DiodeGSSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175C, RGS = 1M 100 VTO-220AB (IXTP)VGSS Continuous 20 VVGSM Transien
ixtp80n12t2.pdf
IXTP80N12T2www.VBsemi.comN-Channel 100-V (D-S) 175 C MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY TrenchFET Power MOSFETVDS (V) RDS(on) ()ID (A) 175 C Maximum Junction Temperature0.0085 at VGS = 10 V100100 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC850.0100 at VGS = 6 VTO-220ABD TO-263G DRAIN connected to TAB G D S Top ViewS G D S Top ViewN-Channel
ixtp80n12t2.pdf
INCHANGE Semiconductorisc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N12T2FEATURESDrain-Source On-Resistance: R
ixtp80n10t.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor IXTP80N10TFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingLow gate input resistanceStandard level gate driveEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplySwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL P
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
