IXTP2N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTP2N65X2
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
|Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 Vtrⓘ - Tiempo de subida: 19 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.3 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTP2N65X2
IXTP2N65X2 Datasheet (PDF)
ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient
ixta2n80 ixtp2n80.pdf
VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFET IXTA 2N80ID25 = 2 AIXTP 2N80 RDS(on) = 6.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 A
ixta2n100 ixtp2n100.pdf
High Voltage VDSS = 1000 VIXTA 2N100MOSFET ID25 = 2 AIXTP 2N100RDS(on) = 7 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 AIDM TC = 25C, pulse width limited by
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