IXTP2N100A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTP2N100A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 1000 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 2 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Tiempo de subida (tr): 15 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 60 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTP2N100A
IXTP2N100A Datasheet (PDF)
ixta2n100 ixtp2n100.pdf
High Voltage VDSS = 1000 VIXTA 2N100MOSFET ID25 = 2 AIXTP 2N100RDS(on) = 7 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 AIDM TC = 25C, pulse width limited by
ixta2n80 ixtp2n80.pdf
VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFET IXTA 2N80ID25 = 2 AIXTP 2N80 RDS(on) = 6.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 A
ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient
Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
