IXTP2N100A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: IXTP2N100A
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 1000 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 2 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 15 ns
Выходная емкость (Cd): 60 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 6 Ohm
Тип корпуса: TO-220
Аналог (замена) для IXTP2N100A
IXTP2N100A Datasheet (PDF)
ixta2n100 ixtp2n100.pdf
High Voltage VDSS = 1000 VIXTA 2N100MOSFET ID25 = 2 AIXTP 2N100RDS(on) = 7 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 AIDM TC = 25C, pulse width limited by
ixta2n80 ixtp2n80.pdf
VDSS = 800 VHigh Voltage MOSFET IXTA 2N80ID25 = 2 AIXTP 2N80 RDS(on) = 6.2 N-Channel Enhancement ModeAvalanche Energy RatedPreliminary DataSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220AB (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 800 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 800 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 VDSID25 TC = 25C2 A
ixtp2n65x2 ixty2n65x2.pdf
Preliminary Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTY2N65X2Power MOSFET ID25 = 2AIXTP2N65X2 RDS(on) 2.3 N-Channel Enhancement ModeTO-252 (IXTY)G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsD (Tab)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VTO-220 (IXTP)VGSS Continuous 30 VVGSM Transient
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
