IXTN120P20T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTN120P20T
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 15 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 106 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2550 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-227B
Búsqueda de reemplazo de IXTN120P20T MOSFET
IXTN120P20T Datasheet (PDF)
ixtn120p20t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTN120P20TPower MOSFETs ID25 = - 106A RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic RectifierE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C - 200 VSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M -
ixtn110n20l2.pdf

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTN110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 100A 24m FBSOA RDS(on) N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25C to 150C 200 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 200 VVGSS Co
ixtn102n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTN102N65X2Power MOSFET ID25 = 76A RDS(on) 30m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedminiBLOCFast Intrinsic DiodeE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VSVGSS Continuous 30 VDVG
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History: 24NM60L-TF2-T | HM50N03I
History: 24NM60L-TF2-T | HM50N03I



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