IXTN120P20T MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTN120P20T

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 830 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 106 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 740 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 85 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 2550 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SOT-227B

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IXTN120P20T datasheet

 ..1. Size:177K  ixys
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IXTN120P20T

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = - 200V IXTN120P20T Power MOSFETs ID25 = - 106A RDS(on) 30m trr 300ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated miniBLOC Fast Intrinsic Rectifier E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C - 200 V S VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M -

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IXTN120P20T

Advance Technical Information Linear L2TM Power VDSS = 200V IXTN110N20L2 MOSFET w/Extended ID25 = 100A 24m FBSOA RDS(on) N-Channel Enhancement Mode Guaranteed FBSOA Avalanche Rated miniBLOC, SOT-227 E153432 S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 200 V VGSS Co

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IXTN120P20T

Advance Technical Information X2-Class VDSS = 650V IXTN102N65X2 Power MOSFET ID25 = 76A RDS(on) 30m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated miniBLOC Fast Intrinsic Diode E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS Continuous 30 V D VG

Otros transistores... IXTP2N100A, IXTP270N04T4, IXTP20N65XM, IXTP20N65X, IXTP180N055T, IXTP160N085T, IXTP12N65X2, IXTN210P10T, SKD502T, IXTN102N65X2, IXTM7N50A, IXTM7N50, IXTM7N45A, IXTM7N45, IXTM6N60A, IXTM6N60, IXTM4N95A