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IXTM4N80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTM4N80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 110 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

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IXTM4N80 Datasheet (PDF)

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IXTM4N80
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VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Tra

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IXTM4N80
IXTM4N80

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFETIXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VVGSM Tra

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