Справочник MOSFET. IXTM4N80

 

IXTM4N80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTM4N80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 110 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO3
 

 Аналог (замена) для IXTM4N80

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM4N80 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:64K  ixys
 ixtm4n80 ixtm4n80a ixtm4n90 ixtm4n90a ixtp4n80 ixtp4n80a ixtp4n90 ixtp4n90a.pdf pdf_icon

IXTM4N80

 8.1. Size:66K  ixys
 ixtm4n100 ixtm4n100a ixtm4n95 ixtm4n95a ixtp4n100 ixtp4n100a ixtp4n95 ixtp4n95a.pdf pdf_icon

IXTM4N80

 8.2. Size:64K  ixys
 ixtm4n45 ixtm4n45a ixtm4n50 ixtm4n50a ixtp4n45 ixtp4n45a ixtp4n50 ixtp4n50a.pdf pdf_icon

IXTM4N80

 9.1. Size:107K  ixys
 ixth35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM4N80

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH 35N30 300 V 35 A 0.10 IXTH 40N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Tra

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTM7N45 , IXTM6N60A , IXTM6N60 , IXTM4N95A , IXTM4N95 , IXTM4N90A , IXTM4N90 , IXTM4N80A , 20N50 , IXTM4N50A , IXTM4N50 , IXTM4N45A , IXTM4N45 , IXTM4N100A , IXTM4N100 , IXTM3N90A , IXTM3N90 .

History: TSM1N50CT | PMDPB56XN | ATM4N65TE | CEF12N6 | BSC059N04LSG | APT8090AN | YJQ40G10A

 

 
Back to Top

 


 
.