IXTM3N90A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: IXTM3N90A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4.6 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3
Búsqueda de reemplazo de IXTM3N90A MOSFET
IXTM3N90A Datasheet (PDF)
ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFETIXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 300 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 300 VVGS Continuous 20 VVGSM Tra
Otros transistores... IXTM4N80A , IXTM4N80 , IXTM4N50A , IXTM4N50 , IXTM4N45A , IXTM4N45 , IXTM4N100A , IXTM4N100 , P0903BDG , IXTM3N90 , IXTM3N80A , IXTM3N80 , IXTM2N95A , IXTM2N95 , IXTM2N100A , IXTM2N100 , IXTM15N50A .
History: DMS3012SFG | 7N60G-TA3-T
History: DMS3012SFG | 7N60G-TA3-T



Liste
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