IXTM3N80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTM3N80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: TO3

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IXTM3N80 datasheet

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IXTM3N80

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 ixth35n30 ixtm35n30 ixth40n30 ixtm40n30.pdf pdf_icon

IXTM3N80

VDSS ID25 RDS(on) IXTH/IXTM 35 N30 300 V 35 A 0.10 MegaMOSTMFET IXTH 40 N30 300 V 40 A 0.085 IXTM 40 N30 300 V 40 A 0.088 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V VGS Continuous 20 V VGSM Tra

Otros transistores... IXTM4N50, IXTM4N45A, IXTM4N45, IXTM4N100A, IXTM4N100, IXTM3N90A, IXTM3N90, IXTM3N80A, 5N60, IXTM2N95A, IXTM2N95, IXTM2N100A, IXTM2N100, IXTM15N50A, IXTM15N45A, IXTM12N50, IXTM12N45A