IXTM12N45A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTM12N45A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 175 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 450 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 12 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Tiempo de subida (tr): 25 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 290 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTM12N45A

IXTM12N45A Datasheet (PDF)

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ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf

VDSS ID25 RDS(on)MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1000 VVGS Continuous 20 V D (TAB)VGSM Transient 30 VID25 TC = 25C 10N

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ixth12n50a ixtm12n50a.pdf

VDSS ID25 RDS(on)StandardIXTH 12 N50A 500 V 12 A 0.4 Power MOSFETIXTM 12 N50A 500 V 12 A 0.4 N-Channel Enhancement ModeSymbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 500 VD (TAB)VGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25C12 AIDM TC

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ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf