IXTM12N45A. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTM12N45A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 175 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 450 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 290 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.4 Ohm

Тип корпуса: TO3

Аналог (замена) для IXTM12N45A

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTM12N45A даташит

 ..1. Size:65K  ixys
 ixth12n45 ixth12n45a ixth12n50 ixtm12n45 ixtm12n45a ixtm12n50.pdf pdf_icon

IXTM12N45A

 7.1. Size:105K  ixys
 ixth10n100 ixtm10n100 ixth12n100 ixtm12n100.pdf pdf_icon

IXTM12N45A

VDSS ID25 RDS(on) MegaMOSTMFET IXTH / IXTM 10N100 1000 V 10 A 1.20 IXTH / IXTM 12N100 1000 V 12 A 1.05 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 1000 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 1000 V VGS Continuous 20 V D (TAB) VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C 10N

 7.2. Size:62K  ixys
 ixth12n50a ixtm12n50a.pdf pdf_icon

IXTM12N45A

VDSS ID25 RDS(on) Standard IXTH 12 N50A 500 V 12 A 0.4 Power MOSFET IXTM 12 N50A 500 V 12 A 0.4 N-Channel Enhancement Mode Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-247 AD (IXTH) VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 500 V D (TAB) VGS Continuous 20 V VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C12 A IDM TC

 7.3. Size:299K  ixys
 ixth10n90 ixtm10n90 ixth12n90 ixtm12n90.pdf pdf_icon

IXTM12N45A

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM3N80, IXTM2N95A, IXTM2N95, IXTM2N100A, IXTM2N100, IXTM15N50A, IXTM15N45A, IXTM12N50, STF13NM60N, IXTM12N45, IXTM10N60A, IXTM10N60, IXTL2X240N055T, IXTL2X220N075T, IXTL2X200N085T, IXTL2X180N10T, IXTL2N450