IXTL2N450 Todos los transistores

 

IXTL2N450 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTL2N450
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 23 Ohm
   Paquete / Cubierta: I5-PAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

IXTL2N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  ixys
 ixtl2n450.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTL2N450Power MOSFET ID25 = 2A RDS(on) 23 DDDDO DO(Electrically Isolated Tab)RGiwG O wISOPLUS i5-PakTMN-Channel Enhancement ModeOSSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 4500 VSIsolated TabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 V

 9.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x180n10t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175

 9.2. Size:66K  ixys
 ixtl2x240n055t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG

 9.3. Size:66K  ixys
 ixtl2x220n075t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R

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History: CSD85312Q3E | STM6920A | MDU1532SURH | AP98T03GP-HF | BUK7616-55A | 2SK2749

 

 
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