IXTL2N450 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTL2N450

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 220 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 4500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 264 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 23 Ohm

Encapsulados: I5-PAK

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IXTL2N450 datasheet

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IXTL2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTL2N450 Power MOSFET ID25 = 2A RDS(on) 23 D D D D O D O (Electrically Isolated Tab) RGi w G O w ISOPLUS i5-PakTM N-Channel Enhancement Mode O S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V S Isolated Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V

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IXTL2N450

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x180N10T VDSS = 100 V ID25 = 2x100 A Power MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) Avalanche Rated S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175

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IXTL2N450

Advance Technical Information IXTL2x240N055T VDSS =55 V TrenchMVTM ID25 = 2x140 A Power MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated RG RG ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RG

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IXTL2N450

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 V ID25 = 2x120 A Power MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG Avalanche Rated ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; R

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