Справочник MOSFET. IXTL2N450

 

IXTL2N450 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXTL2N450
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 4500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 23 Ohm
   Тип корпуса: I5-PAK
 

 Аналог (замена) для IXTL2N450

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTL2N450 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:132K  ixys
 ixtl2n450.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 4500VIXTL2N450Power MOSFET ID25 = 2A RDS(on) 23 DDDDO DO(Electrically Isolated Tab)RGiwG O wISOPLUS i5-PakTMN-Channel Enhancement ModeOSSymbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 4500 VSIsolated TabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 4500 V

 9.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x180n10t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationTrenchMVTMIXTL2x180N10TVDSS = 100 VID25 = 2x100 APower MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)Avalanche RatedS G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C 100 VVDGR TJ = 25C to 175

 9.2. Size:66K  ixys
 ixtl2x240n055t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationIXTL2x240N055T VDSS =55 VTrenchMVTMID25 = 2x140 APower MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated RG RGISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C55 VVDGR TJ = 25C to 175C; RG

 9.3. Size:66K  ixys
 ixtl2x220n075t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical InformationTrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 VID25 = 2x120 APower MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate PairDD(Electrically Isolated Back Surface)N-Channel Enhancement ModeRG RGAvalanche RatedISOPLUS i5-PakTM (IXTL)S G SSymbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 175C75 VVDGR TJ = 25C to 175C; R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTM12N45A , IXTM12N45 , IXTM10N60A , IXTM10N60 , IXTL2X240N055T , IXTL2X220N075T , IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IRFZ48N , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , IXTK102N65X2 , IXTJ6N150 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 .

History: BSS308PE | BL3N105-P | APT6025SVFRG | SMIRF8N60T2TL | BUK9611-80E | AON2411 | NTLLD4901NF

 

 
Back to Top

 


 
.