IXTL2N450. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: IXTL2N450

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 220 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 4500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 264 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 23 Ohm

Тип корпуса: I5-PAK

Аналог (замена) для IXTL2N450

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTL2N450 даташит

 ..1. Size:132K  ixys
 ixtl2n450.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical Information High Voltage VDSS = 4500V IXTL2N450 Power MOSFET ID25 = 2A RDS(on) 23 D D D D O D O (Electrically Isolated Tab) RGi w G O w ISOPLUS i5-PakTM N-Channel Enhancement Mode O S Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 4500 V S Isolated Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 4500 V

 9.1. Size:66K  ixys
 ixtl2x180n10t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x180N10T VDSS = 100 V ID25 = 2x100 A Power MOSFETs RDS(on) 7.4 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) Avalanche Rated S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 100 V VDGR TJ = 25 C to 175

 9.2. Size:66K  ixys
 ixtl2x240n055t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical Information IXTL2x240N055T VDSS =55 V TrenchMVTM ID25 = 2x140 A Power MOSFETs RDS(on) 4.4 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated RG RG ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C55 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RG

 9.3. Size:66K  ixys
 ixtl2x220n075t.pdf pdf_icon

IXTL2N450

Advance Technical Information TrenchMVTM IXTL2x220N075T VDSS = 75 V ID25 = 2x120 A Power MOSFETs RDS(on) 5.5 m Common-Gate Pair DD (Electrically Isolated Back Surface) N-Channel Enhancement Mode RG RG Avalanche Rated ISOPLUS i5-PakTM (IXTL) S G S Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; R

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... IXTM12N45A, IXTM12N45, IXTM10N60A, IXTM10N60, IXTL2X240N055T, IXTL2X220N075T, IXTL2X200N085T, IXTL2X180N10T, STP65NF06, IXTK210P10T, IXTK20N150, IXTK120P20T, IXTK120N65X2, IXTK102N65X2, IXTJ6N150, IXTJ4N150, IXTJ3N150