IXTK120N65X2 Todos los transistores

 

IXTK120N65X2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTK120N65X2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1250 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 9920 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.024 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-264P
 

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IXTK120N65X2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:159K  ixys
ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf pdf_icon

IXTK120N65X2

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX

 6.1. Size:191K  ixys
ixtk120n20p ixtq120n20p.pdf pdf_icon

IXTK120N65X2

IXTK 120N20PPolarHTTMVDSS = 200 VIXTQ 120N20PPower MOSFETID25 = 120 A RDS(on) 22 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VGVGS Continuous 20 VD(TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25

 6.2. Size:163K  ixys
ixtk120n25p.pdf pdf_icon

IXTK120N65X2

VDSS = 250 VIXTK 120N25PPolarHTTMID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C 120 AGD(TAB)ID(RMS

 7.1. Size:178K  ixys
ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf pdf_icon

IXTK120N65X2

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS

Otros transistores... IXTL2X240N055T , IXTL2X220N075T , IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , STP65NF06 , IXTK102N65X2 , IXTJ6N150 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 .

History: AOW2918 | PHD98N03LT | CED02N6A | HGB095NE4SL | QM0004G | BRCS1C5P06MF | AOB256L

 

 
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