IXTK120N65X2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: IXTK120N65X2
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1250 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 9920 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.024 Ohm
Тип корпуса: TO-264P
Аналог (замена) для IXTK120N65X2
IXTK120N65X2 Datasheet (PDF)
ixtk120n65x2 ixtx120n65x2.pdf

Advance Technical InformationX2-Class VDSS = 650VIXTK120N65X2Power MOSFET ID25 = 120AIXTX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264P (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 650 VDTabVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 V SVGSS Continuous 30 VPLUS247 (IX
ixtk120n20p ixtq120n20p.pdf

IXTK 120N20PPolarHTTMVDSS = 200 VIXTQ 120N20PPower MOSFETID25 = 120 A RDS(on) 22 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25 C to 175 C 200 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 200 VGVGS Continuous 20 VD(TAB)SVGSM Transient 30 VID25 TC = 25
ixtk120n25p.pdf

VDSS = 250 VIXTK 120N25PPolarHTTMID25 = 120 APower MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXTK)VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 VVGS Continuous 20 VVGSM Transient 30 VID25 TC = 25 C 120 AGD(TAB)ID(RMS
ixtk120p20t ixtx120p20t.pdf

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = - 200VIXTK120P20TPower MOSFETs ID25 = - 120AIXTX120P20T RDS(on) 30m trr 300nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierTO-264 (IXTK)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C - 200 V DSVDGR TJ = 25C to 150C, RGS
Другие MOSFET... IXTL2X240N055T , IXTL2X220N075T , IXTL2X200N085T , IXTL2X180N10T , IXTL2N450 , IXTK210P10T , IXTK20N150 , IXTK120P20T , STP65NF06 , IXTK102N65X2 , IXTJ6N150 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , IXTI12N50P , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 .
History: IXTC200N075T | STD9N40M2 | AOB256L | AP04N60H-H-HF | 6N70KG-TMS2-T | SSF2418E | SPA15N60CFD
History: IXTC200N075T | STD9N40M2 | AOB256L | AP04N60H-H-HF | 6N70KG-TMS2-T | SSF2418E | SPA15N60CFD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
Popular searches
cs840f | 2n3053 equivalent | 2n3569 | 2sd667 | 2sc1111 | bc239 transistor equivalent | 3sk41 | 2sc2240 transistor