IXTJ3N150 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: IXTJ3N150
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 110 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 21 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET IXTJ3N150

IXTJ3N150 Datasheet (PDF)

..1. Size:113K ixys
ixtj3n150.pdf

Advance Technical InformationHigh Voltage VDSS = 1500VIXTJ3N150ID25 = 2.3APower MOSFET RDS(on) 8.0 (Electrically Isolated Tab)N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeISO TO-247TME153432Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSS TJ = 25C to 150C 1500 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1500 VG

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

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