IXTI12N50P Todos los transistores

 

IXTI12N50P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTI12N50P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 200 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 182 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263
 

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IXTI12N50P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:157K  ixys
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IXTI12N50P

VDSS = 500VPolarTM Power MOSFET IXTA12N50PID25 = 12AIXTI12N50P RDS(on) 500m IXTP12N50PN-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)Symbol Test Conditions Maximum RatingsGVDSS TJ = 25C to 150C 500 VS(TAB)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 500 VVGSS Continuous 30 VVGSM Transient 40 V Leaded TO-263 (IXTI)ID25

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 ixti10n60p.pdf pdf_icon

IXTI12N50P

IXTA 10N60P VDSS = 600 VPolarHVTMIXTI 10N60P ID25 = 10 APower MOSFETIXTP 10N60P RDS(on) 740 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C 600 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 600 VGVGS Continuous Transient 30 VS(TAB)ID25 TC = 25 C10 A

Otros transistores... IXTK20N150 , IXTK120P20T , IXTK120N65X2 , IXTK102N65X2 , IXTJ6N150 , IXTJ4N150 , IXTJ3N150 , IXTI76N25T , K2611 , IXTI10N60P , IXTH80N65X2 , IXTH80N075L2 , IXTH64N65X , IXTH64N10L2 , IXTH62N65X2 , IXTH52N65X , IXTH4N100L .

History: IXTJ3N150 | NCE70T900I

 

 
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