IXTA3N100D2HV Todos los transistores

 

IXTA3N100D2HV MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXTA3N100D2HV
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 67 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 68 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-263HV
 

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IXTA3N100D2HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
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IXTA3N100D2HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA3N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 3AMOSFET RDS(on) 6 DN-ChannelGTO-263HVSGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = DrainVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 1

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IXTA3N100D2HV

IXTA3N100P VDSS = 1000VPolar VHVTMIXTH3N100P ID25 = 3APower MOSFET IXTP3N100P RDS(on) 4.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)

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IXTA3N100D2HV

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

 7.2. Size:560K  ixys
 ixta3n120trl.pdf pdf_icon

IXTA3N100D2HV

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

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History: NTB18N06G | IRF034 | BUK9K35-60E

 

 
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