IXTA3N100D2HV - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTA3N100D2HV - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTA3N100D2HV
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 67 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 68 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: TO-263HV
 

 Аналог (замена) для IXTA3N100D2HV

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA3N100D2HV Datasheet (PDF)

 ..1. Size:184K  ixys
 ixta3n100d2hv.pdf pdf_icon

IXTA3N100D2HV

Preliminary Technical InformationHigh Voltage VDSX = 1000VIXTA3N100D2HVDepletion Mode ID(on) > 3AMOSFET RDS(on) 6 DN-ChannelGTO-263HVSGSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsVDSX TJ = 25C to 150C 1000 VG = Gate D = DrainVGSX Continuous 20 VS = Source Tab = DrainVGSM Transient 30 VPD TC = 25C 1

 5.1. Size:150K  ixys
 ixta3n100p ixth3n100p ixtp3n100p.pdf pdf_icon

IXTA3N100D2HV

IXTA3N100P VDSS = 1000VPolar VHVTMIXTH3N100P ID25 = 3APower MOSFET IXTP3N100P RDS(on) 4.8 N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedTO-263 (IXTA)GSSymbol Test Conditions Maximum Ratings(TAB)VDSS TJ = 25C to 150C 1000 VTO-220 (IXTP)VDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 1000 VVGSS Continuous 20 VVGSM Transient 30 V(TAB)

 7.1. Size:562K  ixys
 ixta3n120 ixtp3n120.pdf pdf_icon

IXTA3N100D2HV

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

 7.2. Size:560K  ixys
 ixta3n120trl.pdf pdf_icon

IXTA3N100D2HV

VDSS ID25 RDS(on)High VoltageIXTA 3N120Power MOSFETs 1200 V 3 A 4.5 IXTP 3N120N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 1200 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M 1200 VVGS Continuous 20 VD (TAB)GVGSM Transient 30 V DSID25 TC = 25C3 AIDM TC =

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA8N65X2 , IXTA80N075L2 , IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , IXTA4N150HV , IXTA3N150HV , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV , IRFB3607 , IXTA270N04T4 , IXTA20N65X , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV , IXTA180N055T , IXTA15N50L2 , IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 .

History: AP05N50EJ | INK0103AM1 | 2SK3078 | 2N60L-TF1-T | IRFB3607 | WMN15N65C4 | CEU12N10L

 

 
Back to Top

 


 
.