IXTA20N65X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXTA20N65X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 320 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1060 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.21 Ohm

Encapsulados: TO-263

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IXTA20N65X datasheet

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IXTA20N65X

Preliminary Technical Information X-Class VDSS = 650V IXTA20N65X Power MOSFET ID25 = 20A IXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65X N-Channel Enhancement Mode TO-263 (IXTA) G S D (Tab) Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-220 (IXTP) VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V VGSS Continuous 30 V VG

 8.1. Size:198K  ixys
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IXTA20N65X

Preliminary Technical Information VDSS = 75 V IXTA200N075T7 TrenchMVTM ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C75 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25

 8.2. Size:215K  ixys
 ixta200n085t ixtp200n085t.pdf pdf_icon

IXTA20N65X

Preliminary Technical Information IXTA 200N085T VDSS = 85 V TrenchMVTM IXTP 200N085T ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (IXTA) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V G VGSM Transient 20 V S (TAB) ID25

 8.3. Size:163K  ixys
 ixta200n085t7.pdf pdf_icon

IXTA20N65X

Preliminary Technical Information VDSS = 85 V IXTA200N085T7 TrenchMVTM ID25 = 200 A Power MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings TO-263 (7-lead) (IXTA..7) VDSS TJ = 25 C to 175 C85 V VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 V VGSM Transient 20 V 1 ID25 TC = 25 C 200 A 7

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