IXTA20N65X - аналоги и даташиты транзистора

 

IXTA20N65X - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: IXTA20N65X
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 320 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 1060 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.21 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для IXTA20N65X

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXTA20N65X Datasheet (PDF)

 ..1. Size:231K  ixys
 ixta20n65x ixth20n65x ixtp20n65x.pdf pdf_icon

IXTA20N65X

Preliminary Technical InformationX-Class VDSS = 650VIXTA20N65XPower MOSFET ID25 = 20AIXTP20N65X RDS(on) 210m IXTH20N65XN-Channel Enhancement ModeTO-263 (IXTA)GSD (Tab)Symbol Test Conditions Maximum RatingsTO-220 (IXTP)VDSS TJ = 25C to 150C 650 VVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M 650 VVGSS Continuous 30 VVG

 8.1. Size:198K  ixys
 ixta200n075t7.pdf pdf_icon

IXTA20N65X

Preliminary Technical InformationVDSS = 75 VIXTA200N075T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25 C to 175 C75 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 75 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25

 8.2. Size:215K  ixys
 ixta200n085t ixtp200n085t.pdf pdf_icon

IXTA20N65X

Preliminary Technical InformationIXTA 200N085T VDSS = 85 VTrenchMVTMIXTP 200N085T ID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (IXTA)VDSS TJ = 25 C to 175 C85 VVDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 85 VGVGSM Transient 20 VS(TAB)ID25

 8.3. Size:163K  ixys
 ixta200n085t7.pdf pdf_icon

IXTA20N65X

Preliminary Technical InformationVDSS = 85 VIXTA200N085T7TrenchMVTMID25 = 200 APower MOSFET RDS(on) 5.0 m N-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-263 (7-lead) (IXTA..7)VDSS TJ = 25C to 175C85 VVDGR TJ = 25C to 175C; RGS = 1 M 85 VVGSM Transient 20 V1ID25 TC = 25C 200 A 7

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие MOSFET... IXTA64N10L2 , IXTA4N65X2 , IXTA4N150HV , IXTA3N150HV , IXTA3N120TRL , IXTA3N120HV , IXTA3N100D2HV , IXTA270N04T4 , RFP50N06 , IXTA1N200P3HV , IXTA1N170DHV , IXTA180N055T , IXTA15N50L2 , IXTA130N10T-TRL , IXTA12N65X2 , IXTA08N100D2HV , IXTA05N100HV .

History: HY1803C2 | WSF20N20

 

 
Back to Top

 


 
.