IXFY9130 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFY9130

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 89 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9.3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 350 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: TO-257

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IXFY9130 datasheet

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IXFY9130

SHD226309 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 619, REV - HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL FEATURES 100 Volt, 0.31 Ohm, -9.3 A MOSFET Fast Switching Low RDS (on) Equivalent to IRFY9130 Series Add a C to the part number for ceramic seals, SHDC226309 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25 C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATIN

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