Справочник MOSFET. IXFY9130

 

IXFY9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFY9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFY9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  ixys
 ixfy9130.pdf pdf_icon

IXFY9130

SHD226309 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 619, REV - HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL FEATURES: 100 Volt, 0.31 Ohm, -9.3 A MOSFET Fast Switching Low RDS (on) Equivalent to IRFY9130 Series Add a C to the part number for ceramic seals, SHDC226309 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATIN

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.