Справочник MOSFET. IXFY9130

 

IXFY9130 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: IXFY9130
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 89 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 140 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 350 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.36 Ohm
   Тип корпуса: TO-257
 

 Аналог (замена) для IXFY9130

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

IXFY9130 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:50K  ixys
 ixfy9130.pdf pdf_icon

IXFY9130

SHD226309 SENSITRON SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA DATA SHEET 619, REV - HERMETIC POWER MOSFET P-CHANNEL FEATURES: 100 Volt, 0.31 Ohm, -9.3 A MOSFET Fast Switching Low RDS (on) Equivalent to IRFY9130 Series Add a C to the part number for ceramic seals, SHDC226309 MAXIMUM RATINGS ALL RATINGS ARE AT TC = 25C UNLESS OTHERWISE SPECIFIED. RATIN

Другие MOSFET... IXTA12N65X2 , IXTA08N100D2HV , IXTA05N100HV , IXTA02N450HV , IXTA02N250HV , IXTA02N250 , IXKP35N60C5 , IXKG25N80C , 18N50 , IXFY5N50P3 , IXFY4N60P3 , IXFX90N60X , IXFX44N55Q , IXFX32N90P , IXFX30N50Q , IXFX260N17T , IXFX24N100Q3 .

History: IRCP350 | KDB3672 | AP1003BST | AP0803GMT-A-HF | 2N5546 | SIHG33N60EF | LND18N50

 

 
Back to Top

 


 
.