IXFX90N60X Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX90N60X

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1100 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 90 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 6300 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.038 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXFX90N60X datasheet

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IXFX90N60X

Preliminary Technical Information X-Class HiPerFETTM VDSS = 600V IXFK90N60X Power MOSFET ID25 = 90A IXFX90N60X RDS(on) 38m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264P (IXFK) Fast Intrinsic Diode Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 600 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 600 V S VGSS

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IXFX90N60X

IXFX 90N30 VDSS = 300 V HiPerFETTM IXFK 90N30 ID25 = 90 A Power MOSFETs RDS(on) = 33 m Single MOSFET Die trr 250 ns Symbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V VDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 300 V (TAB) G VGS Continuous 20 V D VGSM Transient 30 V ID25 TC = 25 C (MOSFET chip capabi

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IXFX90N60X

HiPerFETTM IXFX 90N20Q VDSS = 200 V IXFK 90N20Q ID25 = 90 A Power MOSFETs RDS(on) = 22 m Q-CLASS Single MOSFET Die trr s 200 N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, Low Qg, High dV/dt, Low trr PLUS 247TM (IXFX) Symbol Test Conditions Maximum Ratings (TAB) G D VDSS TJ = 25 C to 150 C 200 V VDGR TJ = 25 C to 150

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IXFX90N60X

Polar2TM HiPerFETTM VDSS = 500V IXFK94N50P2 Power MOSFET ID25 = 94A IXFX94N50P2 RDS(on) 55m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G Symbol Test Conditions Maximum Ratings D S VDSS TJ = 25 C to 150 C 500 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 500 V VGSS Continuous 30 V PLUS247 (IXFX) VGSM Tr

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