IXFX32N90P Todos los transistores

 

IXFX32N90P MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: IXFX32N90P
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 960 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 32 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 80 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 750 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: PLUS247
 

 Búsqueda de reemplazo de IXFX32N90P MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

IXFX32N90P Datasheet (PDF)

 ..1. Size:124K  ixys
ixfk32n90p ixfx32n90p.pdf pdf_icon

IXFX32N90P

Advance Technical InformationPolarTM HiPerFETTM VDSS = 900VIXFK32N90PPower MOSFETsID25 = 32AIXFX32N90PRDS(on)

 7.1. Size:161K  ixys
ixfk32n80p ixfx32n80p.pdf pdf_icon

IXFX32N90P

IXFK 32N80P VDSS = 800 VPolarHVTM HiPerFETIXFX 32N80P ID25 = 32 APower MOSFET RDS(on) 270 m N-Channel Enhancement Modetrr 250 nsAvalanche RatedFast Intrinsic DiodeSymbol Test Conditions Maximum RatingsTO-264 (IXFK)VDSS TJ = 25 C to 150 C 800 VVDGR TJ = 25 C to 150 C; RGS = 1 M 800 VVGSS Contin

 7.2. Size:573K  ixys
ixfk32n50q ixfx32n50q.pdf pdf_icon

IXFX32N90P

VDSS ID25 RDS(on)IXFK 32N50QHiPerFETTMIXFX 32N50Q500 V 32 A 0.16 Power MOSFETs 500 V 32 A 0.16 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS = 1 M

 9.1. Size:123K  ixys
ixfk30n50q ixfx30n50q.pdf pdf_icon

IXFX32N90P

VDSS ID25 RDS(on)HiPerFETTMIXFK/IXFX 30N50Q500 V 30 A 0.16 Power MOSFETs IXFK/IXFX 32N50Q500 V 32 A 0.15 Q-Class trr 250 ns N-Channel Enhancement ModeAvalanche Rated, Low Qg, High dv/dtSymbol Test Conditions Maximum Ratings PLUS 247TM(IXFX)VDSS TJ = 25C to 150C 500 VVDGR TJ = 25C to 150C; RGS

Otros transistores... IXTA02N250 , IXKP35N60C5 , IXKG25N80C , IXFY9130 , IXFY5N50P3 , IXFY4N60P3 , IXFX90N60X , IXFX44N55Q , STP80NF70 , IXFX30N50Q , IXFX260N17T , IXFX24N100Q3 , IXFX210N17T , IXFX150N30P3 , IXFX12N90Q , IXFX120N65X2 , IXFX120N30P3 .

History: RU1HL8L | LPSC2301 | AO6801E | NVMFS5C646NL | HM18N40F | CTD06N017 | SL2P03F

 

 
Back to Top

 


 
.