IXFX120N30P3 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: IXFX120N30P3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1130 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 300 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1406 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.027 Ohm

Encapsulados: PLUS247

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IXFX120N30P3 datasheet

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IXFX120N30P3

Advance Technical Information Polar3TM HiPerFETTM VDSS = 300V IXFK120N30P3 Power MOSFETs ID25 = 120A IXFX120N30P3 RDS(on) 27m trr 250ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated TO-264 (IXFK) Fast Intrinsic Diode G D Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V Tab VDGR TJ = 25 C to 150

 4.1. Size:139K  ixys
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IXFX120N30P3

Advance Technical Information GigaMOSTM VDSS = 300V IXFK120N30T ID25 = 120A Power MOSFET IXFX120N30T RDS(on) 24m trr 200ns N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264 (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 150 C 300 V G D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

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IXFX120N30P3

Advance Technical Information X2-Class HiPerFETTM VDSS = 650V IXFK120N65X2 Power MOSFET ID25 = 120A IXFX120N65X2 RDS(on) 24m N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Diode TO-264P (IXFK) Symbol Test Conditions Maximum Ratings G VDSS TJ = 25 C to 150 C 650 V D Tab VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M 650 V S VGSS

 6.2. Size:123K  ixys
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IXFX120N30P3

VDSS = 250 V IXFK 120N25P PolarHTTM HiPerFET ID25 = 120 A IXFX 120N25P Power MOSFET RDS(on) 24 m N-Channel Enhancement Mode trr 200 ns Fast Intrinsic Diode Avalanche Rated Symbol Test Conditions Maximum Ratings VDSS TJ = 25 C to 175 C 250 V TO-264 (IXFK) VDGR TJ = 25 C to 175 C; RGS = 1 M 250 V VGS Continuous

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